|
|||||
|
|
| 用核反应法测定硅表面氧含量 | |
| 作者姓名： | 钱景华 臧德鸿 张宝全 张钰蓉 吴小凤 王维龙 张阿根 张龙兴 胡瑞娟 神承复 |
| 作者单位： | 复旦大学核科学系(钱景华，臧德鸿，张宝全，张钰蓉，吴小凤，王维龙，张阿根，张龙兴，胡瑞娟)，复旦大学核科学系(神承复) |
| 摘 要： | 简要介绍了用核反应~16О(d,P_1)~17О分析硅表面氧含量的方法。鉴别了集成电路制备工艺中对硅表面氧化层的清洗效果,给出了对硅表面自然氧化过程的观察结果。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |