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| 高纯三甲硅烷基胺制备工艺的技术进展 | |
| 引用本文： | 董玉成,王新鹏,郭永洁,杨振建,陈建永.高纯三甲硅烷基胺制备工艺的技术进展[J].低温与特气,2023(4):1-5. |
| 作者姓名： | 董玉成 王新鹏 郭永洁 杨振建 陈建永 |
| 作者单位： | 天津绿菱气体有限公司 |
| 摘 要： | 三甲硅烷基胺是集成电路制造中重要的硅基前驱体，广泛用于高深宽比结构的硅介电膜沉积。介绍了合成三甲硅烷基胺的相关反应原理，综述了高纯三甲硅烷基胺的制备工艺，分析了各自的优点及不足，并展望了未来的发展趋势。 |
| 关 键 词： | 三甲硅烷基胺 硅基前驱体 先进制程 |