张应变,长波长In1—xGaxAsyP2—y/InP量子阱材料的光荧光谱实验室 |
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引用本文: | 丁国庆.张应变,长波长In1—xGaxAsyP2—y/InP量子阱材料的光荧光谱实验室[J].半导体技术,1998,23(4):54-58. |
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作者姓名: | 丁国庆 |
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摘 要: | 给出了具有二三个量是的In1-xGaxAsyP1-y/InP张应变量子阱材料的光荧光谱及x射线双晶衍射摇摆曲线,指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系,理论计算和实测结果基本一致。
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关 键 词: | 张应变 光荧光谱 量子阱材料 半导体材料 |
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