| 相变材料等离子体刻蚀的研究进展 |
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| 引用本文： | 李俊焘,刘波,宋志棠,冯高明,朱南飞,任佳栋,封松林.相变材料等离子体刻蚀的研究进展[J].微纳电子技术,2014(5):315-323. |
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| 作者姓名： | 李俊焘 刘波 宋志棠 冯高明 朱南飞 任佳栋 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;中国科学院大学;中芯国际集成电路制造公司; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB934300,2013CBA01900,2011CBA00607,2011CB932804);中国科学院先导类专项资助项目(XDA09020402);国家集成电路重大专项资助项目(2009ZX02023-003);国家自然科学基金资助项目(61076121,61176122,61106001,61261160500,61376006);上海市科委资助项目(12nm0503701,13DZ2295700) |
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| 摘 要： | 首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压、刻蚀气体及气体比例等,进而解释了工艺参数与刻蚀结果的依赖关系。同时采用多种分析手段,对相变材料在等离子体刻蚀工艺中产生的刻蚀损伤进行了分类和表征,并基于该分析结果提出了工艺优化方案。最后总结了相变材料等离子体刻蚀技术的反应机理,相变材料的刻蚀是自发反应与离子辅助化学反应相结合的过程,同时物理溅射与低挥发性产物的离子激发脱附也起着重要的辅助作用。
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| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 相变材料 相变存储器(PCM) GeSbTe 刻蚀损伤 刻蚀机理 |
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