| 低功耗宽带CMOS低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 邵翔鹏.低功耗宽带CMOS低噪声放大器[J].电子器件,2014,37(5). |
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| 作者姓名： | 邵翔鹏 |
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| 作者单位： | 北京工业大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(60776051，61006044，61006059) |
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| 摘 要： | 本文实现了一款低功耗的宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪放由输入级、中间级和输出级组成。由于每一级都采用了电流复用技术，显著地降低了功耗。输入级通过电阻、电容负反馈和并联电感，实现了良好的输入匹配。引入电感抵消了电容产生的虚部阻抗并且抵消了电容产生的极点。与电阻负反馈放大器相比，本文提出的结构提高了增益。中间级通过并联电感引入零点，采用低Q值拓展带宽。输出级是源级跟随器，提供了良好的输出匹配。经0.18 μm TSMC CMOS工艺仿真验证，在3 V的电源电压下，功耗仅为4.89 mW。另外在1~4.5 GHz频带范围内，电压增益(S21)为14.8±0.4 dB，噪声系数(NF)介于3.1~4.2 dB之间，输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 dB。在4GHz时，输入三阶交调点(IIP3)达到-11dBm。
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| 关 键 词： | 电流复用 低噪声放大器 CMOS 宽带 |
Low-power consumption broadband CMOS low noise amplifier |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | current reuse low noise amplifier CMOS broadband |
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