| 脉冲放电强度对磁控溅射Cr薄膜微观结构的影响 |
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| 引用本文： | 曹政,蒋百灵,沈建东,宁富平,张潜.脉冲放电强度对磁控溅射Cr薄膜微观结构的影响[J].材料热处理学报,2013,34(2):157-161. |
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| 作者姓名： | 曹政 蒋百灵 沈建东 宁富平 张潜 |
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| 作者单位： | 西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048 |
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| 摘 要： | 在脉冲非平衡磁控溅射环境中,通过提高脉冲靶电压(分别为600、700及800 V)使工作气体Ar获得3种不同强度的异常辉光放电状态(单脉冲峰值靶功率密度分别为10、30及70 W/cm2),并分别制备Cr薄膜.利用SEM、AFM、XRD及TEM等方法研究、比较了非平衡磁控溅射Cr薄膜的微观结构在不同Ar气脉冲异常辉光放电强度条件下的差异.结果表明,随Ar气脉冲异常辉光放电强度的增强:Cr薄膜沉积速率显著提高,薄膜表面粗糙度略有增大,但表面颗粒未出现长大现象,且尺寸均匀、细小,择优生长的Cr(110)晶面的衍射峰强度明显降低,结晶效果逐渐降低.不同异常辉光放电强度条件下制备的Cr薄膜均以柱状方式生长,微观组织呈现出纳米级尺度的晶粒(直径5 ～ 10 nm)镶嵌式分布的形态.
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| 关 键 词： | 脉冲 异常辉光放电 非平衡磁控溅射 Cr薄膜 |
Influence of pulse discharge strength on microstructure of Cr films deposited by magnetron sputtering |
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| Affiliation: | CAO Zheng,JIANG Bai-ling,SHEN Jian-dong,NING Fu-ping,ZHENG Qian(School of Materials Science and Engineering,Xi’an University of Technology,Xi’an 710016,China) |
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