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| GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究 | |
| 引用本文： | 丁干,崔丽娟,丁勇,毛友德,赵福川,夏冠群.GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究[J].微纳电子技术,2001,38(1):58-61. |
| 作者姓名： | 丁干 崔丽娟 丁勇 毛友德 赵福川 夏冠群 |
| 作者单位： | 1. 山东胶南六汪中学,山东 青岛 260000 2. 合肥工业大学,安徽,合肥,230009 3. 中科院上海冶金所,上海,200000 |
| 摘 要： | 旁栅效应是影响 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。本文研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG的大小与 LSG成正比关系 ,并理论探讨了产生这一现象的机制 ,从而验证了旁栅阈值电压与旁栅距关系的有关理论。 |
| 关 键 词： | 旁栅效应 旁栅距 碰撞电离 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)01-0058-04 |
| 修稿时间： | 2000年6月26日 |
Study on the relation between sidegating effect and the distance of side-gate/MESFET of GaAs MESFETs |
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| DING Gan,CUI Li juan.Study on the relation between sidegating effect and the distance of side-gate/MESFET of GaAs MESFETs[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(1):58-61. | |
| Authors: | DING Gan CUI Li juan |
| Abstract: | Sidegating effect is a harmful parasitic effect to GaAs devices and circuits performance.In this paper we study the relation between the sidegating threshold voltage( V th SG ) and the distance of side gate/MESFET( L SG ),and find that the threshold voltage varies linearly with the distance.This result agrees with earlier experimental results. |
| Keywords: | sidegating effect distance of side gate/MESFET impact ionization |
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