| 一种分段曲率补偿带隙基准源设计 |
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| 引用本文： | 李睿,冯全源.一种分段曲率补偿带隙基准源设计[J].电子元件与材料,2015(6):57-60. |
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| 作者姓名： | 李睿 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所,四川 成都,611756 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目资助(No.61271090)；四川省科技支撑计划项目资助 |
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| 摘 要： | 在传统带隙基准的基础上,设计了一种分段曲率补偿的低温漂带隙基准。利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,在低温和高温段同时对基准电压进行曲率补偿,采用UMC 0.25μm BCD工艺进行仿真。仿真结果表明,电源电压5 V时,静态功耗电流为7.11μA;电源电压2.5~5.5 V,基准电压变化148μV;温度在–40~+145℃内,电路的温度系数为1.18×10–6/℃;低频时电源抑制比为–87 d B。
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| 关 键 词： | 带隙基准 亚阈值 曲率补偿 温漂 温度系数 电源抑制比 |
Design of a bandgap reference voltage with piecewise curvature compensation |
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| LI Rui,FENG Quanyuan.Design of a bandgap reference voltage with piecewise curvature compensation[J].Electronic Components & Materials,2015(6):57-60. |
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| Authors: | LI Rui FENG Quanyuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference sub-threshold curvature compensation temperature drift temperature coefficient PSRR |
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