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低静态电流低压降CMOS线性稳压器
引用本文:王洪来,戴宇杰,张小兴,吕英杰. 低静态电流低压降CMOS线性稳压器[J]. 微电子学, 2005, 35(6): 665-667,672
作者姓名:王洪来  戴宇杰  张小兴  吕英杰
作者单位:南开大学,IC设计中心,天津,300457
摘    要:
设计了一种100 mA低静态电流、低压降CMOS线性稳压器.通过使用与一般线性稳压器相类似的频率补偿方法,这种低压差线性稳压器获得了低静态电流,很好的电源调整率和负载调整率,以及很高的PSRR值.在0.5 μm工艺下的仿真结果表明,其消耗的静态电流只有5 μA,电源调整率和负载调整率分别为0.02 mV/V和0.002 mV/mA;在100 Hz时,其PSRR值为-90 dB,负载电容只有100 pF,可以很容易地集成到电路中.

关 键 词:低压降线性稳压器  静态电流
文章编号:1004-3365(2005)06-0665-03
收稿时间:2005-03-28
修稿时间:2005-03-282005-06-07

A Low Quiescent-Current CMOS Low-Dropout Regulator
WANG Hong-lai,DAI Yu-jie,ZHANG Xiao-xing,Lü Ying-jie. A Low Quiescent-Current CMOS Low-Dropout Regulator[J]. Microelectronics, 2005, 35(6): 665-667,672
Authors:WANG Hong-lai  DAI Yu-jie  ZHANG Xiao-xing  Lü Ying-jie
Affiliation:IC Design Center, Nankai University, Tianjin 300457, P.R. China
Abstract:
Keywords:CMOS
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