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| 超高分子量聚乙烯/石墨包覆纳米铜复合导电材料研究 | |
| 引用本文： | 薛俊,林航昇,唐浩奎,宾晓蓓,曹宏.超高分子量聚乙烯/石墨包覆纳米铜复合导电材料研究[J].塑料,2008,37(1):43-46. |
| 作者姓名： | 薛俊 林航昇 唐浩奎 宾晓蓓 曹宏 |
| 作者单位： | 1. 武汉材料保护研究所,湖北,武汉,430030;武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北,武汉,430033 2. 武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北,武汉,430033 3. 武汉理工大学资源与环境工程学院,湖北,武汉,430070 |
| 摘 要： | 在NaBH4/EDA体系中还原CuCl2石墨层间化合物合成了石墨包覆纳米铜复合填料(GECNP).以GECNP为导电填料,采用球磨共混-热压成型工艺制备了超高分子量聚乙烯(UHMWPE)基复合材料.UHMWPE/GECNP复合材料的X射线衍射(XRD)分析表明:在制备过程中无新相生成;扫描电镜(SEM)观察发现:其微观结构均匀,GECNP以纳米片状分散于基体中,构成导电网络;有关导电性的研究表明:复合材料导电机制符合聚合物基复合材料的导电渗滤理论,渗滤阈值为8.766%,低于常规碳系填料.当GECNP体积浓度为12.8%时,体系电导率最高,为7.55S/cm,高于石墨纳米片填料. |
| 关 键 词： | 超高分子量聚乙烯 石墨 铜纳米粒子 电导率 超高分子量 聚乙烯 石墨 纳米铜 复合导电 材料研究 UHMWPE Composite 电导率 体积浓度 填料 渗滤阈值 渗滤理论 聚合物基复合材料 导电机制 导电性 导电网络 构成 基体 纳米片 |
| 文章编号： | 1001-9456(2008)01-0043-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月18日 |
The Conductive Composite of UHMWPE/GECNP |
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| XUE Jun,LIN Hang-sheng,TANG Hao-kui,BIN Xiao-bei,CAO Hong.The Conductive Composite of UHMWPE/GECNP[J].Plastics,2008,37(1):43-46. | |
| Authors: | XUE Jun LIN Hang-sheng TANG Hao-kui BIN Xiao-bei CAO Hong |
| Abstract: | |
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