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| 光电导探测器中的扫出效应 | |
| 引用本文： | 刘国庆.光电导探测器中的扫出效应[J].电子器件,1987(2). |
| 作者姓名： | 刘国庆 |
| 摘 要： | 本文从理论和实验两个方面介绍扫出效应对光电导探测器中的影响.理论上,随着偏置电场的增加,扫出效应使少数载流子寿命缩短,响应时间降低,增益出现饱和,但信号噪声比却能得到改善.文章最后以HgCdTe为例,从实验的角度出发,举出了扫出效应的有关实验结果. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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