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| 多孔硅微结构与场发射性能研究 | |
| 引用本文： | 蔡南科,蒋洪奎,朱自强,虞献文.多孔硅微结构与场发射性能研究[J].压电与声光,2010,32(5). |
| 作者姓名： | 蔡南科 蒋洪奎 朱自强 虞献文 |
| 作者单位： | 1. 浙江师范大学,信息科学与工程学院,浙江,金华,321004 2. 浙江师范大学,交通学院,浙江,金华,321004 3. 华东师范大学,信息学院,上海,200062 |
| 基金项目： | 浙江省科技厅基金资助项目，浙江省金华市科技计划基金资助项目 |
| 摘 要： | 采用阳极氧化及阴极还原表面处理技术制备性能稳定的纳米多孔硅薄膜.用原子力显微镜(AFM)表征多孔硅的表面形貌,用扫描电子显微镜(SEM)表征多孔硅的横截面结构.采用场发射测试装置研究了阳极氧化腐蚀时间及等离子表面处理对多孔硅场发射性能影响.结果表明,阳极氧化腐蚀时间越长,所得多孔硅场发射性能越好,相对应的开启电压越低,电流密度越大;等离子处理可有效提高场发射性能,等离子处理后的多孔硅薄膜作为阴极发射材料具有极大的潜能. |
| 关 键 词： | 多孔硅 阳极氧化法 场电子发射 |
Study of Porous Silicon Microstructure and Field Emission Characteristics |
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| CAI Nanke,JIANG Hongkui,ZHU Ziqiang,YU Xianwen.Study of Porous Silicon Microstructure and Field Emission Characteristics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2010,32(5). | |
| Authors: | CAI Nanke JIANG Hongkui ZHU Ziqiang YU Xianwen |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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