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摆率增强的高瞬态响应无片外电容线性稳压器
作者姓名:刘云涛  王博涛  方硕  王云  郑鲲鲲
作者单位:1. 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院;2. 先进船舶通信与信息技术工业和信息化部重点实验室;3. 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
基金项目:国家自然科学基金重大科研仪器研制项目(62027814);;黑龙江省自然科学基金面上项目(JJ2018ZR1021);;中央高校基本科研业务费专项资金项目(3072021CF0806);
摘    要:针对无片外电容低压差线性稳压器瞬态响应差的问题,本文提出了一种摆率增强电路,该设计采用了动态密勒补偿技术,使得低压差线性稳压器有良好的环路稳定性。本文基于SilTerra公司的标准0.18μm的CMOS工艺,通过最终的仿真,该设计的低压差线性稳压器在负载电流20 mA~200μA的瞬态变化下过冲电压仅有80 mV,恢复时间0.5μs,线性调整率与负载调整率的最大值分别为0.036%、6.4%。降低了低压差线性稳压器输出的过冲电压以及恢复时间,实现了具有高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器。

关 键 词:瞬态响应  无片外电容  低压差线性稳压器  摆率增强  动态米勒补偿  过冲电压  调整率  恢复时间
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