| 离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响 |
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| 引用本文： | 周剑平,柴春林,杨少延,刘志凯,宋书林,李艳丽,陈诺夫,林元华.离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响[J].半导体学报,2005,26(13):57-60. |
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| 作者姓名： | 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 宋书林 李艳丽 陈诺夫 林元华 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084 |
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| 摘 要： | 利用双离子束沉积技术，在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜. 离子束能量在100～500eV范围内，衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构，随着衬底温度的增加，择优取向转为(202)方向. 当衬底温度是700℃时，出现了立方结构，这是由于离子束加热的作用，导致低温下出现单斜结构. XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷，改进工艺条件可消除部分缺陷.
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| 关 键 词： | 离子束沉积 晶体结构 XPS |
Effect of Ion Energy and Substrate Temperature on Gadolinium Oxide Structure |
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| Zhou Jianping,Chai Chunlin,Yang Shaoyan,Liu Zhikai,Song Shulin,Li Yanli,Chen Nuofu and Lin Yuanhua.Effect of Ion Energy and Substrate Temperature on Gadolinium Oxide Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(13):57-60. |
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| Authors: | Zhou Jianping Chai Chunlin Yang Shaoyan Liu Zhikai Song Shulin Li Yanli Chen Nuofu and Lin Yuanhua |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing,Department of Materials Science and Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing,Department of Materials Science and Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion-beam deposition crystal structures XPS |
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