PMMA表面高功率脉冲磁控溅射制备ITO涂层（英文）

采用高功率脉冲磁控溅射技术在PMMA基体上制备了ITO涂层。利用XRD、SEM对涂层进行了相结构的分析,并进行了划痕实验、光电性能测试。结果表明:偏压、氢氩流量比等工艺参数对涂层的相结构、膜基结合力、光电性能均有影响。增大偏压,膜基结合力将增强,偏压达到240 V时,膜基结合力最好(56.5 N)。偏压由0 V增加到160 V的过程中,涂层晶粒增大,透射率变高(由82.24%增至89.82%),电阻率变低(由0.006571减至0.000543?·cm)。当氢氩流量比由0增至0.05,透射率变低(由89.82%减至56.12%)。氢氩流量比由0增至0.03,电阻率变低(由0.000 543减至0.000 212?·cm);氢氩流量比由0.03增至0.05,电阻率变高由0.000 212增至0.000 373?·cm)。