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一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
引用本文:陈一峰,宋志棠,陈小刚,陈后鹏,刘波,白宁,陈邦明,吴关平,谢志峰,杨左娅.一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路[J].微电子学,2011,41(6):840-843.
作者姓名:陈一峰  宋志棠  陈小刚  陈后鹏  刘波  白宁  陈邦明  吴关平  谢志峰  杨左娅
作者单位:1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海,200050
2. 微芯科技公司,美国亚利桑那
3. 中芯国际集成电路制造有限公司,上海,201203
基金项目:国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003); 国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB935400,2010CB934300,2011CB309602,2011CB932800); 国家自然科学基金资助项目(60906004,60906003,61006087,61076121); 上海市科委资助项目(09QH1402600,1052nm07000)
摘    要:基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15 kΩ左右降至7 kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升...

关 键 词:相变存储器  非易失性存储器  电流阶梯波  擦驱动电路

SET Driver for Phase Change Memory Based on Step-Down Current Pulse
CHEN Yifeng , SONG Zhitang , CHEN Xiaogang , CHEN Houpeng , LAU Bo , BAI Ning , CHEN Bomy , WU Guanping , XIE Zhifeng , YANG Zuoya.SET Driver for Phase Change Memory Based on Step-Down Current Pulse[J].Microelectronics,2011,41(6):840-843.
Authors:CHEN Yifeng  SONG Zhitang  CHEN Xiaogang  CHEN Houpeng  LAU Bo  BAI Ning  CHEN Bomy  WU Guanping  XIE Zhifeng  YANG Zuoya
Affiliation:CHEN Yifeng1,SONG Zhitang1,CHEN Xiaogang1,CHEN Houpeng1,LIU Bo1,BAI Ning2,CHEN Bomy2,WU Guanping3,XIE Zhifeng3,YANG Zuoya3(1.State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Laboratory of Nanotechnology,Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology,The Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,P.R.China,2.Microchip Technology Inc.,Arizona,USA,3.Semiconductor Manufacturing International Corp.,Shanghai 201203,P.R.China)
Abstract:
Keywords:Phase change memory  Non-volatile memory  Step-down current pulse  SET driver  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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