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一种高dB-线性宽动态范围CMOS可变增益放大器
引用本文:陈斯,彭艳军,王侠,朱士虎.一种高dB-线性宽动态范围CMOS可变增益放大器[J].微电子学,2011,41(6):790-793,798.
作者姓名:陈斯  彭艳军  王侠  朱士虎
作者单位:1. 徐州师范大学物理与电子工程学院,江苏徐州,221116
2. 南通大学专用集成电路设计重点实验室,江苏南通,226019
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61001022)
摘    要:基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高dB-线性宽动态范围的CMOS可变增益放大器.拽数电路通过伪Taylor200 MHz构dB-可变增益单元采用可变跨导、可变负载结构.Hspice仿真结果显示,3-dB带宽为200 MHz,在dB-线性内,输出电压的增益动态范围达40 dB,误差在±0.5dB之内...

关 键 词:可变增益放大器  伪Taylor指数函数  dB-线性  可变跨导

A High dB-Linear Wide Dynamic Range CMOS Variable Gain Amplifier
CHEN Si , PENG Yanjun , WANG Xia , ZHU Shihu.A High dB-Linear Wide Dynamic Range CMOS Variable Gain Amplifier[J].Microelectronics,2011,41(6):790-793,798.
Authors:CHEN Si  PENG Yanjun  WANG Xia  ZHU Shihu
Affiliation:CHEN Si1,PENG Yanjun2,WANG Xia1,ZHU Shihu1 (1.XZ Normal University,Xuzhou,Jiangsu 221116,P.R.China,2.Nantong University,Nantong,Jiangsu 226019,P.R.China)
Abstract:
Keywords:Variable gain amplifier  Pseudo Taylor exponential function  dB-linear  Variable transconductance  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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