| 纳米SiO_2掺杂的In2O_3厚膜气敏传感器稳定性研究 |
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| 引用本文： | 邓小双,张顺平,赵野,杨超群,熊雅.纳米SiO_2掺杂的In2O_3厚膜气敏传感器稳定性研究[J].传感器世界,2014(2):9-13. |
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| 作者姓名： | 邓小双 张顺平 赵野 杨超群 熊雅 |
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| 作者单位： | 华中科技大学纳米材料与智能传感器实验室,湖北武汉430074 |
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| 摘 要： | 采用丝网印刷技术,制备了纳米SiO2掺杂的In2O3厚膜气敏传感器,并通过加速寿命试验对乙醇气氛下传感器的稳定性进行探究。通过长期测试发现纳米SiO2的掺入明显地提高了In2O3气敏传感器的稳定性。此外,当SiO2的掺杂浓度控制在5wt%左右时,In2O3气敏传感器的气敏性能也有了很大的提高。结合实验数据,对SiO2提高In2O3气敏传感器稳定性与敏感性的微观机理做了深入分析。
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| 关 键 词： | InO 纳米SiO 气敏传感器 稳定性 |
Research on the stability of In2O3 thick-film gas sensors with nano-scale dopants of SiO2 |
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