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1.3GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计
引用本文:马红波,冯全源. 1.3GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计[J]. 微电子学与计算机, 2007, 24(5): 13-15,18
作者姓名:马红波  冯全源
作者单位:西南交通大学,微电子研究所,四川,成都,610031
摘    要:
设计了一种基于0.25μm CMOS工艺的共源共栅型1.3GHz的LNA。从噪声优化、增益及阻抗匹配角度详细分析了电路的设计方法,讨论了寄生电容Cgd、C_match_in及共栅管沟道宽度W2对LNA性能的影响。采用ADS软件,对W2进行扫描和对LNAS参量和噪声系数进行仿真测试结果表明:该LNA在1.3GHz的工作频率下.具有良好的性能指标,噪声系数fN为1.42dB,增益S21为13.687dB.匹配参数S11为-14.769dB,S22为-14.530dB,反向隔离度S12为-52.955dB。

关 键 词:共源共栅  低噪声放大器  噪声系数  阻抗匹配
文章编号:1000-7180(2007)05-0013-03
修稿时间:2006-06-04

Design of 1.3GHz 0.25μm CMOS Low Noise Amplifier
MA Hong-bo,FENG Quan-yuan. Design of 1.3GHz 0.25μm CMOS Low Noise Amplifier[J]. Microelectronics & Computer, 2007, 24(5): 13-15,18
Authors:MA Hong-bo  FENG Quan-yuan
Affiliation:Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China
Abstract:
Keywords:cascode   low noise amplifier   noise factor, impedance match
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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