| 退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响 |
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| 引用本文： | 王成龙,范多旺,孙硕,张福甲.退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响[J].半导体学报,2008,29(8). |
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| 作者姓名： | 王成龙 范多旺 孙硕 张福甲 |
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| 作者单位： | 1. 国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心,兰州,730070;兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室,兰州,730070
2. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，教育部长江学者与创新团队计划，国家自然科学基金，兰州交通大学青蓝人才工程资助项目 |
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| 摘 要： | 以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜销诱导晶化(AIC)过程的影响.XRD实验结果表明:a-Si薄膜在H2气氛中400℃下经过90min的退火处理就能得到结晶较好的poly-si薄膜.Raman光谱实验结果表明:在500℃下退火处理,相同时间内H2气氛中a-Si结晶程度最好,空气气氛中结晶程度最差.这是因为高温H2退火过程中,高活性H原子能将弱的Si-Si键破坏,并与之反应形成强Si-Si键,使得薄膜结构更加稳定有序,同时能加速薄膜中氧的外扩散,促使薄膜晶化.
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| 关 键 词： | a-Si薄膜 退火 晶化 AIC |
An Experimental Study of Aluminum-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film in Different Atmospheres |
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| Wang Chenglong,Fan Duowang,Sun Shuo,Zhang Fujia.An Experimental Study of Aluminum-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film in Different Atmospheres[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(8). |
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| Authors: | Wang Chenglong Fan Duowang Sun Shuo Zhang Fujia |
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