| 4H-SiC MESFET直流Ⅰ-Ⅴ特性解析模型 |
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| 引用本文： | 任学峰,杨银堂,贾护军.4H-SiC MESFET直流Ⅰ-Ⅴ特性解析模型[J].半导体技术,2008,33(2). |
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| 作者姓名： | 任学峰 杨银堂 贾护军 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系.在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果.与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的Ⅰ-Ⅴ特性更加吻合.
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| 关 键 词： | 4H-碳化硅 射频功率金属半导体场效应晶体管 Ⅰ-Ⅴ特性 解析模型 |
Analytical Model of DC Ⅰ-Ⅴ Characteristics of 4H-SiC MESFETs |
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| Ren Xuefeng,Yang Yintang,Jia Hujun.Analytical Model of DC Ⅰ-Ⅴ Characteristics of 4H-SiC MESFETs[J].Semiconductor Technology,2008,33(2). |
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| Authors: | Ren Xuefeng Yang Yintang Jia Hujun |
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