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| 不同温度下半导体硅势垒的正向I-V特性曲线的汇聚特性 | |
| 作者姓名： | 苗庆海 卢烁今 张兴华 宗福建 朱阳军 |
| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,济南,250100 |
| 摘 要： | 以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-(T)特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点可以用来获取任意温度下的I-V特性曲线. |
| 关 键 词： | 半导体势垒 禁带宽度 汇聚点 正向I-V特性曲线 |
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