| 陷阱电荷对GMLM工作电压的影响 |
| |
| 引用本文： | 张洁,黄尚廉,孙吉勇,张智海,朱永.陷阱电荷对GMLM工作电压的影响[J].半导体学报,2008,29(7). |
| |
| 作者姓名： | 张洁 黄尚廉 孙吉勇 张智海 朱永 |
| |
| 作者单位： | 重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室,重庆,400030 |
| |
| 基金项目： | 重庆市院士基金，国家自然科学基金，中国博士后科学基金，重庆市自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 光栅平动式光调制器(GMLM)依靠可动光栅在静电力作用下向下反射镜移动,从而改变光程差,实现光调制.结构中siO2绝缘层在外加电场作用下产生陷阱电荷,对器件的驱动特性产生影响.作者依据高斯定理,建立GMLM存在陷阱电荷情况下的电力学模型,分析了外加电场作用下,GMLM极板电荷的分布,以及外加电压与可动光栅位移的关系;比较了两种情况下(考虑与不考虑绝缘层陷阱电荷影响)工作电压变化情况.设计了实验方案,进行了实验研究.结果表明:由于陷阱电荷产生陷阱电压,使得产生相同位移需要的工作电压增加;充电时间越长,陷阱电荷产生的陷阱电压越大;实验结果与理论分析吻合.
|
| 关 键 词： | 光栅 陷阱电荷 工作电压 |
Effect of Trapped Charges on GMLM Pull-Out Voltage |
| |
| Zhang Jie,Huang Shanglian,Sun Jiyong,Zhang Zhihai,Zhu Yong.Effect of Trapped Charges on GMLM Pull-Out Voltage[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7). |
| |
| Authors: | Zhang Jie Huang Shanglian Sun Jiyong Zhang Zhihai Zhu Yong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
