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| 薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术 | |
| 引用本文： | 魏星,王湘,陈猛,陈静,张苗,王曦,林成鲁.薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术[J].半导体学报,2008,29(7). |
| 作者姓名： | 魏星 王湘 陈猛 陈静 张苗 王曦 林成鲁 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039;上海新傲科技有限公司,上海,201821 2. 上海新傲科技有限公司,上海,201821 3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 4. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;上海新傲科技有限公司,上海,201821 |
| 摘 要： | 在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术--注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度lμm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术. |
| 关 键 词： | 薄膜厚埋层SOI材料 注氧键合技术 剖面透射电镜 |
New Technology for Fabricating a Thin Film/Thick BOX Silicon-on-Insulator |
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| Wei Xing,Wang Xiang,Chen Meng,Chen Jing,Zhang Miao,Wang Xi,Lin Chenglu.New Technology for Fabricating a Thin Film/Thick BOX Silicon-on-Insulator[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7). | |
| Authors: | Wei Xing Wang Xiang Chen Meng Chen Jing Zhang Miao Wang Xi Lin Chenglu |
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| Keywords: | |
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