| 以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征 |
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| 作者姓名： | 林郭强 曾一平 王晓亮 刘宏新 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,材料科学中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 用电子束蒸发方法在Si(111)村底蒸发了Au/Cr和Au/Ti/AI/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延(GSMBE)生长GaN.两种缓冲层的表面部比较平整和均匀,都是具有Au(111)面掸优取向的立方相Au层.在Au/Cr/Si(111)上MBE生长的GaN,生长结束后出现剥离.在Au/Ti/Al/Ti/Si(111)上无AIN缓冲层直接生长GaN,得到的是多品GaN;先在800℃生长一层AIN缓冲层,然后在710℃生长GaN,得到的足沿GaN(0001)面择优取向的六方相GaN.将Au/Ti/Al/Ti/Si(111)在 800℃下退火20min,金属层收缩为网状结构,并且成为多晶,不再具有Au(111)方向择优取向.
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| 关 键 词： | GaN 分子束外延 Si(111) 缓冲层 金属 |
| 收稿时间： | 2015-08-18 |
| 修稿时间： | 2008-04-22 |
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