| 测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法 |
| |
| 作者姓名： | 杨恒 鲍敏杭 沈绍群 李昕欣 张大成 武国英 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系!上海200433(杨恒,鲍敏杭,沈绍群,李昕欣),北京大学微电子学研究所微米/纳米技术国家级重点实验室!北京100871(张大成,武国英) |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;69876009; |
| |
| 摘 要： | 介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据
|
| 关 键 词： | 硅 各向异性腐蚀 KOH |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)05-0504-05 |
| 修稿时间： | 1999-01-09 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
