| 注碳外延硅的荧光特性研究 |
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| 引用本文： | 李玉国,孙钦军,曹玉萍,王强,王建波,张秋霞. 注碳外延硅的荧光特性研究[J]. 半导体光电, 2006, 27(5): 560-562 |
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| 作者姓名： | 李玉国 孙钦军 曹玉萍 王强 王建波 张秋霞 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014 |
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| 摘 要： | 研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。
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| 关 键 词： | 离子注入 电化学腐蚀 蓝光发射 发光中心 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)05-0560-03 |
| 收稿时间： | 2006-02-17 |
| 修稿时间： | 2006-02-17 |
Photoluminescence of C+-Implanted Epitaxial Silicon |
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| LI Yu-guo,SUN Qin-jun,CAO Yu-ping,WANG Qiang,WANG Jian-bo,ZHANG Qiu-xia. Photoluminescence of C+-Implanted Epitaxial Silicon[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2006, 27(5): 560-562 |
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| Authors: | LI Yu-guo SUN Qin-jun CAO Yu-ping WANG Qiang WANG Jian-bo ZHANG Qiu-xia |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation anodization blue light emission luminescent centre |
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