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| TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析 | |
| 作者姓名： | 褚维群 郭炜 |
| 作者单位： | 上海交通大学微电子学院,上海交通大学微电子学院 上海200030,上海贝尔阿尔卡特有限公司,上海201206,上海200030 |
| 摘 要： | 针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的"非晶化"影响进行分析和研究。在总结已有成果的基础上,得到一些新的突破:通过可信、简便的制样方法,可以直接观察到"非晶层";可以量测聚焦离子束制备的可供TEM分析的IC硅衬底样品的极限厚度。通过一系列自主设计的实验,得到如下结果:离子束的能量对"非晶层"厚度的影像非常大;"非晶层"的厚度与切割时离子束的加速电压有关,与离子束电流及入射角度等基本无关。 |
| 关 键 词： | TEM样品制备 非晶化 聚焦离子束 |
| 文章编号： | 1673-629X(2008)02-0223-03 |
| 修稿时间： | 2007-05-16 |
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