| 不同磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响 |
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| 引用本文： | 王金普,白林山,储向峰.不同磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响[J].纳米技术与精密工程,2015(1):74-79. |
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| 作者姓名： | 王金普 白林山 储向峰 |
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| 作者单位： | 安徽工业大学化学与化工学院,马鞍山,243002 |
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| 基金项目： | 教育部高校留学回国人员科研资助项目；安徽工业大学创新团队资助项目(TD201204)；国家自然科学基金资助项目(50975002)． |
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| 摘 要： | 为了提高微晶玻璃化学机械抛光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的抛光液对微晶玻璃进行化学机械抛光,研究了4种含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的抛光液对微晶玻璃化学机械抛光MRR和表面粗糙度的影响.利用纳米粒度仪检测抛光液中磨料的粒径分布和Zeta电位,利用原子力显微镜观察微晶玻璃抛光前后的表面形貌.实验结果表明,在相同条件下,采用Ce O2作为磨料进行化学机械抛光时可以获得最好的表面质量,抛光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.进一步研究了抛光液中不同质量分数的Ce O2磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响,结果表明,当抛光液中Ce O2质量分数为7%时,最高MRR达到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而当抛光液中Ce O2质量分数为5%时,MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度最低Ra=0.4 nm.Ce O2磨料抛光后的微晶玻璃能获得较低表面粗糙度和较高MRR.
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| 关 键 词： | 微晶玻璃 化学机械抛光 材料去除速率 表面粗糙度 磨料 |
Effect of Different Abrasives on Chemical Mechanical Polishing of Glass-Ceramics |
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| Wang Jinpu,Bai Linshan,Chu Xiangfeng.Effect of Different Abrasives on Chemical Mechanical Polishing of Glass-Ceramics[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2015(1):74-79. |
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| Authors: | Wang Jinpu Bai Linshan Chu Xiangfeng |
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| Affiliation: | Wang Jinpu;Bai Linshan;Chu Xiangfeng;School of Chemistry and Chemical Engineering,Anhui University of Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | glass-ceramics chemical mechanical polishing material removal rate surface roughness abrasive |
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