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| Si／Ag／Si和Si／Au／Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究 | |
| 引用本文： | 卞波,吴自勤.Si／Ag／Si和Si／Au／Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究[J].电子显微学报,1994,13(1):37-41. |
| 作者姓名： | 卞波 吴自勤 |
| 作者单位： | 中国科技大学基础物理中心，中国科技大学结构研究开放实验室 |
| 摘 要： | 本文利用透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）对ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｕ／ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件，分形的形成可用随机逐次触发形核和生长（ＲＳＮＧ）来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散，Ｓｉ分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ：Ｓｉ：Ｈ膜中存在部分较大的Ａｇ晶粒凸出膜面。 |
| 关 键 词： | 薄膜 分形 TEM EDS 硅／银／硅 硅／金／硅 |
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