| 一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计 |
| |
| 引用本文： | 朱永安,唐吉玉,潘保瑞,陈俊芳,陆旭兵. 一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计[J]. 材料科学与工程学报, 2015, 0(5): 680-684 |
| |
| 作者姓名： | 朱永安 唐吉玉 潘保瑞 陈俊芳 陆旭兵 |
| |
| 作者单位： | 1. 华南师范大学物理与电信工程学院,广东广州,510006;2. 华南师范大学先进材料所,广东广州,510006 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好。作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20%。
|
| 关 键 词： | GaInAsN/GaAs量子阱 阱宽 垒厚 短路电流 伏安特性 |
Design of InGaP/GaAs/Ge Triple-junction Solar Cells Containing GaInAsN/GaAs Quantum Wells |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaInAsN/GaAs quantum well solar cells well width barrier thickness short-circuit current-voltage characteristics |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
