| 一种新的激光诱导液相腐蚀法制作GaAs腐蚀孔 |
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| 引用本文： | 陈镇龙,叶玉堂,刘霖,田骁,吴云峰,焦世龙,范超,王昱琳.一种新的激光诱导液相腐蚀法制作GaAs腐蚀孔[J].光电子．激光,2006,17(9):1133-1136. |
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| 作者姓名： | 陈镇龙 叶玉堂 刘霖 田骁 吴云峰 焦世龙 范超 王昱琳 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;教育部科学技术研究重点项目;四川省科技厅资助项目;国防重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 提出了一种掩膜投影的激光诱导液相腐蚀方法，采用波长0．53μm的倍频Nd：YAG连续激光器、镀Cr掩膜板、H2SO4和H2O2混合溶液，在GaAs基片上制作腐蚀孔。通过对腐蚀原理的分析，对影响加工精度的溶液配比和激光功率密度进行了实验研究，得出了H2SO4：H2O2：H2O=4：1：20、激光功率密度11．7W／cm^2的最佳实验组合，并在此条件下得到了直径为30μm的高质量腐蚀孔。通过对腐蚀孔的横向与底面形状的分析，从改进实验装置和进行激光束空间整形2方面提出了改进的方法．对提高掩膜投影法的加工精度具有重要意义。
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| 关 键 词： | 光电子 光化学腐蚀 腐孔 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）09-1133-04 |
| 收稿时间： | 2005-11-19 |
| 修稿时间： | 2005-11-192006-03-20 |
A New Method of Laser-induced Wet Etching Used for Etch Hole's Facture on GaAs Wafer |
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| CHEN Zhen-long,YE Yu-tang,LIU Lin,TIAN Xiao,WU Yun-feng,JIAO Shi-long,FAN Chao,WANG Yu-lin.A New Method of Laser-induced Wet Etching Used for Etch Hole''s Facture on GaAs Wafer[J].Journal of Optoelectronics·laser,2006,17(9):1133-1136. |
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| Authors: | CHEN Zhen-long YE Yu-tang LIU Lin TIAN Xiao WU Yun-feng JIAO Shi-long FAN Chao WANG Yu-lin |
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| Affiliation: | School of Opto electronic Information, University of Electronic Science and Technology of China. 610054 ,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs |
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