| CuO添加的BiNbO4微波材料的研究 |
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| 引用本文： | 刘艳平,张良莹,丁士华,张德生,姚熹.CuO添加的BiNbO4微波材料的研究[J].压电与声光,2003,25(1):52-54. |
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| 作者姓名： | 刘艳平 张良莹 丁士华 张德生 姚熹 |
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| 作者单位： | 1. 同济大学,功能材料研究所,上海,200092
2. 同济大学,功能材料研究所,上海,200092;西安交通大学,电子材料研究室,西安,710049 |
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| 基金项目： | 上海市重点学科建设基金资助项目 |
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| 摘 要： | 讨论了CuO添加对BiNbO4微波介质材料的结构和性能的影响。结果表明,添加CuO可促进晶粒生长,使得BiNbO4材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后Q×f迅速降低。Q×f降低的原因主要与添加后引起的介电弛豫有关,也与添加后第二相的出现及晶粒尺寸减小有关。最佳的CuO的添加量为0.2%(质量比),添加后材料可在920°C烧结,介电性能为:εr≈45(5GHz),Q×f≥10THz。
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| 关 键 词： | BiNbO4 微波陶瓷 CuO 介电性能 |
| 文章编号： | 1004-2474(2003)01-0052-03 |
| 修稿时间： | 2002年3月12日 |
Study on BiNbO4 MWDC with CuO Additive |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BiNbO_4 CuO dielectric properties |
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