| Cu掺杂ZnTiNb2O8陶瓷的低温烧结和微波介电性能 |
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| 引用本文： | 晏忠,王丹,黄金亮,顾永军,张喻华.Cu掺杂ZnTiNb2O8陶瓷的低温烧结和微波介电性能[J].压电与声光,2013,35(3):429-434. |
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| 作者姓名： | 晏忠 王丹 黄金亮 顾永军 张喻华 |
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| 作者单位： | 1. 河南科技大学 材料科学与工程学院，河南 洛阳 471003；;2. 永城职业学院 机电工程系，河南 永城 476600 |
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| 基金项目： | 河南省教育厅自然科学研究计划基金资助项目(2009A430005)；河南科技大学自然科学领域科研创新能力培育基金资助项目（2011CX006） |
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| 摘 要： | 采用传统固相反应法制备了Cu掺杂的ZnTiNb2O8介质陶瓷，分别对其烧结特性、物相组成、显微结构及微波介电性能等进行了系统研究。结果表明：Cu掺杂及其氧化能显著降低ZnTiNb2O8的烧结温度至950 ℃；Cu掺杂ZnTiNb2O8陶瓷微波介电性能在很大程度上由陶瓷致密度、物相组成和晶粒大小决定；Cu掺杂量为3.0wt.%的ZnTiNb2O8陶瓷在950 ℃烧结3 h具有较好的微波介电性能：εr=30.2，Q×f=27 537 GHz(f=6.774 3 GHz)，τf=-57.1 μ℃-1，是极具应用前景的低温共烧陶瓷材料。
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| 关 键 词： | 低温烧结 微波介电性能 ZnTiNb2O8 显微结构 |
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