| AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究 |
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| 引用本文： | 严地,罗谦,卢盛辉,靳翀,罗大为,周伟,杨谟华.AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究[J].半导体技术,2007,32(3):226-229. |
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| 作者姓名： | 严地 罗谦 卢盛辉 靳翀 罗大为 周伟 杨谟华 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子学与固体电子学学院,成都610054 |
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| 摘 要： | 通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响.研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减.当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×10(17)cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%.受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端.该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法.
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| 关 键 词： | 铝镓氮 氮化镓 高电子迁移率晶体管 电场 受主陷阱 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）03-226-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-14 |
Investigation on the Breakdown Character of AlGaN/GaN HEMT with Acceptor Trap |
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| YAN Di,LUO Qian,LU Sheng-hui,JIN Chong,LUO Da-wei,ZHOU Wei,YANG Mo-hua.Investigation on the Breakdown Character of AlGaN/GaN HEMT with Acceptor Trap[J].Semiconductor Technology,2007,32(3):226-229. |
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| Authors: | YAN Di LUO Qian LU Sheng-hui JIN Chong LUO Da-wei ZHOU Wei YANG Mo-hua |
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| Affiliation: | School of Microelectrics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN GaN HEMT electrical field acceptor trap |
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