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| 固态源分子束外延生长碳掺杂InGaAs材料研究 | |
| 作者姓名： | 于海龙 高汉超 王伟 马奔 尹志军 李忠辉 |
| 作者单位： | 微波毫米波单片和集成电路重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,系统研究了半绝缘InP衬底上碳掺杂InGaAs材料的外延工艺.为得到高质量高浓度P型掺杂InGaAs材料,分别对外延过程中的脱膜工艺、P/As切换工艺以及生长温度等关键参数进行研究.通过扫描透射电子显微镜(STEM)测量衬底表面氧化膜厚度,量化... |
| 关 键 词： | 分子束外延 铟镓砷 四溴化碳 氧化膜 |
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