| 一种用于5 V电源ESD防护的双MOS触发SCR |
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| 引用本文： | 陈瑞博,陈磊,李浩亮,刘志伟,邹望辉,许海龙.一种用于5 V电源ESD防护的双MOS触发SCR[J].微电子学,2019,49(3):408-412. |
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| 作者姓名： | 陈瑞博 陈磊 李浩亮 刘志伟 邹望辉 许海龙 |
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| 作者单位： | 郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000,郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000,郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610000,长沙理工大学 物理与电子科学学院, 长沙 410000,郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61674055) |
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| 摘 要： | 低电压触发的可控硅器件LVTSCR具有低触发特性,被广泛应用于静电放电(ESD)防护领域。为了避免LVTSCR在工作时发生闩锁效应和潜在失效,基于0.18 μm BCD工艺,提出一种双MOS触发的DMTSCR。TCAD仿真结果显示,相比传统LVTSCR,DMTSCR具有更低的触发电压和更高的维持电压,显著提高了器件的闩锁免疫力,同时消除了传统LVTSCR的潜在失效风险。该器件适用于5 V电源的ESD防护。
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| 关 键 词： | LVTSCR 静电放电 DMTSCR 闩锁效应 触发电压 维持电压 |
| 收稿时间： | 2018/8/5 0:00:00 |
A Double MOS Triggered SCR for 5 V Power ESD Protection Applications |
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| CHEN Ruibo,CHEN Lei,LI Haoliang,LIU Zhiwei,ZOU Wanghui and XU Hailong.A Double MOS Triggered SCR for 5 V Power ESD Protection Applications[J].Microelectronics,2019,49(3):408-412. |
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| Authors: | CHEN Ruibo CHEN Lei LI Haoliang LIU Zhiwei ZOU Wanghui and XU Hailong |
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| Affiliation: | School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450000, P.R.China,School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450000, P.R.China,School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450000, P.R.China,School of Microelectronics and Solid-State Electronics, Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610000, P.R.China,School of Physics and Electronic Sciences, Changsha University of Science & Technology, Changsha 410000, P.R.China and School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450000, P.R.China |
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