| 氮气退火对氟化非晶碳膜结构和电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 吴振宇,杨银堂,汪家友. 氮气退火对氟化非晶碳膜结构和电学性能的影响[J]. 功能材料, 2006, 37(7): 1081-1083 |
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| 作者姓名： | 吴振宇 杨银堂 汪家友 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳(a-C:F)膜并在氮气气氛中对a-C:F膜进行了退火处理研究.X光电子能谱(XPS)化学结构分析表明,退火后a-C:F膜中CF3,CF2和CF含量减少,而C-CFx(x=1～3)交联结构增多.电学性能研究指出,退火后a-C:F薄膜的介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升,Al/a-C:F/Si结构的阻滞效应由于界面态密度下降而减弱,同时a-C:F膜的π-π*带隙和电荷陷阱能量减小并导致薄膜漏电流增大.
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| 关 键 词： | a-C:F 退火 化学结构 电学性能 XPS |
| 文章编号： | 1001-9731(2006)07-1081-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-09 |
| 修稿时间： | 2006-04-08 |
Effects of annealing on structural and electrical properties of fluorinated amorphous carbon films |
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| WU Zhen-yu,YANG Yin-tang,WANG Jia-you. Effects of annealing on structural and electrical properties of fluorinated amorphous carbon films[J]. Journal of Functional Materials, 2006, 37(7): 1081-1083 |
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| Authors: | WU Zhen-yu YANG Yin-tang WANG Jia-you |
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