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应用于2.45GHz 半有源标签的低中频正交混频器*
引用本文:李志才 毛陆虹. 应用于2.45GHz 半有源标签的低中频正交混频器*[J]. 微波学报, 2015, 31(2): 63-66
作者姓名:李志才 毛陆虹
作者单位:(天津大学电子信息工程学院,天津300072)
基金项目:国家自然科学基金(61372011)
摘    要:
设计了一款用于2.45GHz半有源标签的低中频正交下变频混频器。该混频器采用UMC 0.18μm标准CMOS技术设计和流片,改进了经典的Gilbert结构,并分别采用共跨导正交结构、电流注入结构和正交跨导结构来提高增益、减小噪声和改善线性度。测试结果表明,论文设计的混频器在1.8V工作电压下消耗电流2.25m A,增益是15d B,三阶交调点为2d Bm,在2MHz中频下的噪声系数是14.8d B,所占面积为1.024mm×1.096mm。

关 键 词:电流注入结构  下变频混频器  正交跨导结构  2.45GHz半有源标签  共跨导正交结构

Design of Low-IF Quadrture Mixer of Semi-Active RFID in 2.45GHz
LI Zhi-cai,MAO Lu-hong. Design of Low-IF Quadrture Mixer of Semi-Active RFID in 2.45GHz[J]. Journal of Microwaves, 2015, 31(2): 63-66
Authors:LI Zhi-cai  MAO Lu-hong
Affiliation:(School of Electronic Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China)
Abstract:
Keywords:current injection  down mixer  quadrature transconductor stage  2.45GHz semi-active RFID   sharedtransconductor stage
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