| 双离子束溅射法制备SiOxNy薄膜的结构与发光 |
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| 引用本文： | 李群,黎定国,邓玲娜,刘义保,诸葛兰剑,吴雪梅.双离子束溅射法制备SiOxNy薄膜的结构与发光[J].真空科学与技术学报,2006,26(1):57-60. |
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| 作者姓名： | 李群 黎定国 邓玲娜 刘义保 诸葛兰剑 吴雪梅 |
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| 作者单位： | 1. 东华理工学院物理系,江西,抚州,344000
2. 苏州大学物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006 |
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| 基金项目： | 苏州大学校科研和教改项目;东华理工学院校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm（紫光）、470 nm（蓝光）的光致发光.根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理：470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷（O3≡Si-Si≡O3）,是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强.
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| 关 键 词： | 双离子束测射 SiOxNy薄膜 结构与发光 |
| 文章编号： | 1672-7126（2006）01-057-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-23 |
| 修稿时间： | 2005年3月23日 |
Microstructures and Luminescence of SiOxNy Film Grown by Dual Ion Beam Sputtering |
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| Li Qun,Li Dingguo,Deng Lingna,Liu Yibao,Zhuge Lanjian,Wu Xuemei.Microstructures and Luminescence of SiOxNy Film Grown by Dual Ion Beam Sputtering[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(1):57-60. |
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| Authors: | Li Qun Li Dingguo Deng Lingna Liu Yibao Zhuge Lanjian Wu Xuemei |
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| Affiliation: | 1. Department of Physics , East China Institute of Technology, Fuzhou , Jiangxi 3ddO00, China ; 2. College of Physics, Suzhou University, Suzhou 215006, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Dual ion beam sputtering SiOxNy film Structure and luminescence |
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