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| ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展 | |
| 作者姓名： | 刘学超 陈之战 施尔畏 宋力昕 |
| 作者单位： | 1.中国科学院 上海硅酸盐研究所, 上海 200050; 2.中国科学院 研究生院,北京 100049 |
| 基金项目： | 上海市纳米科技专项基金,国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议.本文对近几年来ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展作一综述,着重阐述了代表性的RRKY理论、平均场理论、双交换理论和磁极子理论,对实验和理论方面的热点和存在问题作一评价,对磁性理论的研究提出了新思路. |
| 关 键 词： | ZnO 稀磁半导体 磁性机理 |
| 收稿时间： | 2008-04-10 |
| 修稿时间： | 2008-06-20 |
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