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| GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化 | |
| 作者姓名： | 雷亮 曾祥华 范玉佩 张勇 |
| 作者单位： | 扬州大学物理科学与技术学院;;扬州大学物理科学与技术学院;;扬州大学物理科学与技术学院;;扬州大学物理科学与技术学院; |
| 基金项目： | 江苏省科技资助项目(BG2007026);扬州市科技计划资助项目(YZ2009092) |
| 摘 要： | 基于量子阱结构中载流子遂穿势垒原理,使用APSYS软件模拟不同条件下具有不同垒高、垒宽及阱宽的发光二极管（LED）的I-V特性、光强和内量子效率（IQE）的变化,发现自发发射光谱存在红移现象。通过与传统LED的多量子阱（MQW）参数比较发现,当阱宽为2 nm、垒宽为4 nm、垒中In含量为0.08和驱动电流为20mA时... |
| 关 键 词： | InGaN/GaN多量子阱(MQW) 光谱强度 内量子效率(IQE) APSYS |
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