| ZnO缓冲层退火温度对Ti02∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响 |
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| 引用本文： | 王丹红,赵小如,谢海燕,刘金铭,白晓军,陈长乐.ZnO缓冲层退火温度对Ti02∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响[J].材料导报,2011,25(22). |
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| 作者姓名： | 王丹红 赵小如 谢海燕 刘金铭 白晓军 陈长乐 |
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| 作者单位： | 西北工业大学理学院空间应用物理与化学教育部重点实验室,西安,710129 |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响.结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强；XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱.
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| 关 键 词： | ZnO缓冲层 溶胶-凝胶法 光致发光 氧化钛 Eu掺杂 |
Influence of Annealing Temperature of ZnO Buffer Layer on the Photoluminescence Property of TiO2 : Eu/ZnO Thin Films by Sol-gel Process |
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| WANG Danhong,ZHAO Xiaoru,XIE Haiyan,LIU Jinming,BAI Xiaojun,CHEN Changle.Influence of Annealing Temperature of ZnO Buffer Layer on the Photoluminescence Property of TiO2 : Eu/ZnO Thin Films by Sol-gel Process[J].Materials Review,2011,25(22). |
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| Authors: | WANG Danhong ZHAO Xiaoru XIE Haiyan LIU Jinming BAI Xiaojun CHEN Changle |
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