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石墨烯热电器件栅控特性研究
引用本文:马志豪,王宁,孟丛,高聪,贾宏志.石墨烯热电器件栅控特性研究[J].光学仪器,2020,42(6):49-53.
作者姓名:马志豪  王宁  孟丛  高聪  贾宏志
作者单位:上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室,上海 200093
基金项目:国家自然科学基金青年基金(61804096)
摘    要:为了获得一种稳定可控的能源,提出一种栅控石墨烯热电器件。通过对石墨烯通道的载流子输运机理的分析,获得了温度和栅压对通道电阻的影响。依据半经典Mott公式推导了石墨烯塞贝克系数的表达式,同时给出了石墨烯的电导率和热导率模型。最后通过有限元分析(FEA)建模获得不同栅压条件下的器件温度,当栅极电压VB=0 V时,石墨烯热电器件热端和冷端温度差为30 K;当VB=6 V时,最大温差达到50 K;当VB=30 V时,最小温差只有10 K。结果表明,栅压对热电器件的性能有明显的调控性。该研究可为石墨烯热电器件的设计提供理论参考。

关 键 词:热电器件  石墨烯  迁移率  塞贝克系数
收稿时间:2020/1/7 0:00:00

Research on characteristics of gate-controlled graphene thermoelectric device
MA Zhihao,WANG Ning,MENG Cong,GAO Cong,JIA Hongzhi.Research on characteristics of gate-controlled graphene thermoelectric device[J].Optical Instruments,2020,42(6):49-53.
Authors:MA Zhihao  WANG Ning  MENG Cong  GAO Cong  JIA Hongzhi
Affiliation:Shanghai Key Laboratory of Modern Optical System, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China
Abstract:
Keywords:thermoelectric devices  graphene  mobility  Seebeck coefficient
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