| 大功率单路和功率合成式100~115GHz 肖特基平衡式二倍频器 |
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| 作者姓名： | 田遥岭 黄昆 岑冀娜 唐川云 林长星 张健 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621900,中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621900,中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621900,中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610200,中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621900,电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 611731 |
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| 摘 要： | 研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率,且其工作带宽超过13.6%。另外,采用了不同的双路合成结构来实现两种不同的合成式110 GHz倍频器。该功率合成式倍频器在两只127 μm 厚的 ALN 基片上焊接了四个分立的肖特基二极管。在800 mW的驱动功率下,两种合成式倍频器都测得了大于200 mW的输出功率,证明了利用该合成式倍频结构可实现更高输出功率。
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| 关 键 词： | 110GHz 平衡式二倍频 肖特基 功率合成 |
| 收稿时间： | 2020-02-27 |
| 修稿时间： | 2021-01-11 |
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