| Zn0.9Mg0.1O:Ga宽带隙导电膜的 PLD制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 陈志强,方国家,李春,盛苏,赵兴中.Zn0.9Mg0.1O:Ga宽带隙导电膜的 PLD制备及性能研究[J].无机材料学报,2006,21(3):707-712. |
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| 作者姓名： | 陈志强 方国家 李春 盛苏 赵兴中 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院、纳米科技中心,武汉,430072 |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMOGa)宽带隙透明导电薄膜.采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后,其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.
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| 关 键 词： | ZnMgO:Ga膜 脉冲激光沉积 沉积温度 真空退火 |
| 文章编号： | 1000-324X（2006）03-0707-06 |
| 收稿时间： | 06 30 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-06-302005-09-12 |
Fabrication and Properties of Pulsed Laser Deposited Wide Band-gap Zn0.9Mg0.1O:Ga Conducting Films |
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| CHEN Zhi-Qiang,FANG Guo-Jia,LI Chun,SHENG Su,ZHAO Xing-Zhong.Fabrication and Properties of Pulsed Laser Deposited Wide Band-gap Zn0.9Mg0.1O:Ga Conducting Films[J].Journal of Inorganic Materials,2006,21(3):707-712. |
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| Authors: | CHEN Zhi-Qiang FANG Guo-Jia LI Chun SHENG Su ZHAO Xing-Zhong |
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| Affiliation: | DepartmentofPhysicsandCenterofNanoscience&NanotechnologyResearch,WuhanUniversity,Wuhan430072,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnMgO:Ga films pulsed laser deposition (PLD) substrate temperature vacuum annealing |
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