| 退火温度对锗薄膜光学性能和表面结构的影响 |
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| 作者姓名： | 李坤 熊玉卿 王虎 高恒蛟 何延春 周晖 |
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| 作者单位： | 兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,甘肃 兰州 730000,兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,甘肃 兰州 730000,兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,甘肃 兰州 730000,兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,甘肃 兰州 730000,兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,甘肃 兰州 730000,兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,甘肃 兰州 730000 |
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| 基金项目： | 甘肃省科技计划资助 (20JR5RA082) |
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| 摘 要： | 
研究了退火温度对电子束蒸发制备的锗薄膜光学性能和表面结构的影响规律.在硅基底上制备了厚度约850 nm的Ge薄膜,分别在350、400、450和500℃下进行退火.通过红外光谱仪测试了薄膜的透射率变化,采用光谱反演法得到了薄膜折射率和消光系数的变化规律,使用X射线衍射和原子力显微镜测试了样品的结晶特性和表面形貌.结果 ...
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| 关 键 词： | 退火 锗薄膜 光学性能 表面结构 |
| 收稿时间： | 2020-11-23 |
| 修稿时间： | 2021-01-19 |
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