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| IGBT的发展现状及应用 | |
| 引用本文： | 李恩玲 周如培. IGBT的发展现状及应用[J]. 半导体杂志, 1998, 23(3): 48-51 |
| 作者姓名： | 李恩玲 周如培 |
| 作者单位： | 西安理工大学 |
| 摘 要： | 介绍了绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的基本结构，工作原理及其在国内外的发展现状，并阐述了ＩＧＢＴ的独特性能及其在电力电子领域的应用。 |
| 关 键 词： | 绝缘栅 双极型晶体管 IGBT 功率器件 |
New Developments and Applications of IGBT |
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| Li Enling, Zhou Rupei. New Developments and Applications of IGBT[J]. , 1998, 23(3): 48-51 | |
| Authors: | Li Enling Zhou Rupei |
| Abstract: | The structure, operation and present situation of Insulated gate bipolar transistor (IGBT) in national and international are described . The distinctive performances and applications of IGBT in the field of lower electronic are introduced. |
| Keywords: | Insulated gate bipolar transistor(IGBT) Power Device |
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