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IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95%并可大幅节省占位空间
摘    要:全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司(International Rectifier.简称IR)日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET,这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95%的效率,并可大幅节省占位空间。

关 键 词:DirectFET  功率MOSFET  IR  空间  占位  国际整流器公司  功率半导体  封装技术
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