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后摩尔时代的封装技术
引用本文:童志义.后摩尔时代的封装技术[J].电子工业专用设备,2010,39(6):1-8.
作者姓名:童志义
作者单位:中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊,065201
摘    要:介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。

关 键 词:后摩尔定律时代  封装技术  发展趋势  TSV阵列堆叠  3D堆叠封装  多层嵌入式芯片  系统级封装

The IC Packaging Technologies for More-than-Moore
TONG Zhiyi.The IC Packaging Technologies for More-than-Moore[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2010,39(6):1-8.
Authors:TONG Zhiyi
Affiliation:TONG Zhiyi (The 45th Research Institute of CETC,Yanjiao Development Zone Beijing 065201,China)
Abstract:The high capability TSV interconnect and 3D stack packaging and the embedding passive element and active device with SiP packaging technologies are introduced in this paper. The technologies with focus on semiconductor industry such as TSV, 3D packaging, 3D stack packaging and other advanced packaging technologies are forcing semiconductor industry access the More-than-Moore era.
Keywords:More-than-Moore era  Packaging Technologies  Package Technology Trends  TSV Array Package  3D Stack Packaging  Multi-layer Embedding Package  SIP  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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